文献
J-GLOBAL ID:201702290388183974
整理番号:17A0933038
ITO/n-Siヘテロ接合光起電素子におけるの効率的不動態化とトンネル効果ハイブリッドa-SiOx(In)層
Effective Passivation and Tunneling Hybrid a-SiOx(In) Layer in ITO/n-Si Heterojunction Photovoltaic Device
著者 (8件):
GAO Ming
(Shanghai Univ., Shanghai, CHN)
,
WAN Yazhou
(Shanghai Univ., Shanghai, CHN)
,
LI Yong
(Shanghai Univ., Shanghai, CHN)
,
HAN Baichao
(Shanghai Univ., Shanghai, CHN)
,
SONG Wenlei
(Shanghai Univ., Shanghai, CHN)
,
XU Fei
(Shanghai Univ., Shanghai, CHN)
,
ZHAO Lei
(Shanghai Univ., Shanghai, CHN)
,
MA Zhongquan
(Shanghai Univ., Shanghai, CHN)
資料名:
ACS Applied Materials & Interfaces
(ACS Applied Materials & Interfaces)
巻:
9
号:
20
ページ:
17565-17575
発行年:
2017年05月24日
JST資料番号:
W2329A
ISSN:
1944-8244
CODEN:
AAMICK
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)