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文献
J-GLOBAL ID：201702290424923818
整理番号：17A0955257
III-Vオンインシュレータウェハ上に形成された横型PN接合を有するキャリア空乏型InGaAsP光変調器の数値解析
Numerical analysis of carrier-depletion InGaAsP optical modulator with lateral PN junction formed on III-V-on-insulator wafer
SEKINE Naoki
(Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
,
SEKINE Naoki
(JST-CREST, Tokyo, JPN)
,
HAN Jae-Hoon
(Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
,
HAN Jae-Hoon
(JST-CREST, Tokyo, JPN)
,
TAKAGI Shinichi
(Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
,
TAKENAKA Mitsuru
(Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
,
TAKENAKA Mitsuru
(JST-CREST, Tokyo, JPN)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics
(Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 56 号： 4S ページ： 04CH09.1-04CH09.5 発行年： 2017年04月
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 CODEN： JJAPB6 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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