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文献
J-GLOBAL ID：201702290490847116
整理番号：17A0716240
基板加熱なしのECR ArプラズマCVDで成長したB原子層ドープSi膜のキャリア特性
Carrier properties of B atomic-layer-doped Si films grown by ECR Ar plasmaenhanced CVD without substrate heating
SAKURABA Masao
(Tohoku Univ., Sendai, JPN)
,
SUGAWARA Katsutoshi
(Tohoku Univ., Sendai, JPN)
,
NOSAKA Takayuki
(Tohoku Univ., Sendai, JPN)
,
AKIMA Hisanao
(Tohoku Univ., Sendai, JPN)
,
SATO Shigeo
(Tohoku Univ., Sendai, JPN)
資料名：
Science and Technology of Advanced Materials (Web)
(Science and Technology of Advanced Materials (Web))
巻： 18 号： Apr ページ： 294-306 (WEB ONLY) 発行年： 2017年04月
JST資料番号： U7009A ISSN： 1878-5514 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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