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文献
J-GLOBAL ID：201702290574758572
整理番号：17A0058317
高感度深UV光検出器応用のためのグラフェン-β-Ga2O3ヘテロ接合
Graphene-β-Ga2O3 Heterojunction for Highly Sensitive Deep UV Photodetector Application
Kong Wei-Yu
(School of Electronic Science and Applied Physics, Hefei University of Technology, Hefei, Anhui, 230009, P. R. China)
,
Wu Guo-An
(School of Electronic Science and Applied Physics, Hefei University of Technology, Hefei, Anhui, 230009, P. R. China)
,
Wang Kui-Yuan
(School of Electronic Science and Applied Physics, Hefei University of Technology, Hefei, Anhui, 230009, P. R. China)
,
Zhang Teng-Fei
(School of Electronic Science and Applied Physics, Hefei University of Technology, Hefei, Anhui, 230009, P. R. China)
,
Zou Yi-Feng
(School of Electronic Science and Applied Physics, Hefei University of Technology, Hefei, Anhui, 230009, P. R. China)
,
Wang Dan-Dan
(School of Electronic Science and Applied Physics, Hefei University of Technology, Hefei, Anhui, 230009, P. R. China)
,
Luo Lin-Bao
(School of Electronic Science and Applied Physics, Hefei University of Technology, Hefei, Anhui, 230009, P. R. China)
資料名：
Advanced Materials
(Advanced Materials)
巻： 28 号： 48 ページ： 10725-10731 発行年： 2016年12月28日
JST資料番号： W0001A ISSN： 0935-9648 CODEN： ADVMEW 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： ドイツ (DEU) 言語： 英語 (EN)
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