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J-GLOBAL ID：201702290593932730 整理番号：17A1172383

の磁気的および電気的に同調デバイス応用の可能性を持つ新しい強誘電体/磁気回転フェライト(Pb,Sr)TiO_3/Y_3Fe_5O_12層状薄膜の研究【Powered by NICT】

Investigation of novel ferroelectric/gyromagnetic ferrite (Pb,Sr)TiO₃/Y₃Fe₅O₁₂ layered thin films with potential applications in magnetically and electrically tuning devices

著者 (12件)：

Guo Xin

(Key Laboratory of Inorganic Functional Materials and Devices, Shanghai Institute of Ceramics, Chinese Academy of Sciences, 1295 Dingxi Rd., Shanghai 200050, People’s Republic of China)

,

Guo Xin

(Institute of Electronics, Microelectronics and Nanotechnology (IEMN) - DOAE, UMR CNRS 8520, Universite′ de Valenciennes et du Hainaut Cambresis, 59313 Valenciennes Cedex 9, France)

,

Guo Xin

(University of Chinese Academy of Sciences, 19 A Yuquan Rd, Shijingshan District, Beijing 100049, People’s Republic of China)

,

Chen Ying

(Key Laboratory of Inorganic Functional Materials and Devices, Shanghai Institute of Ceramics, Chinese Academy of Sciences, 1295 Dingxi Rd., Shanghai 200050, People’s Republic of China)

,

Wang Genshui

(Key Laboratory of Inorganic Functional Materials and Devices, Shanghai Institute of Ceramics, Chinese Academy of Sciences, 1295 Dingxi Rd., Shanghai 200050, People’s Republic of China)

,

Remiens Denis

(Institute of Electronics, Microelectronics and Nanotechnology (IEMN) - DOAE, UMR CNRS 8520, Universite′ de Valenciennes et du Hainaut Cambresis, 59313 Valenciennes Cedex 9, France)

,

Ponchel Freddy

(Institute of Electronics, Microelectronics and Nanotechnology (IEMN) - DOAE, UMR CNRS 8520, Universite′ de Valenciennes et du Hainaut Cambresis, 59313 Valenciennes Cedex 9, France)

,

Zhang Wenbin

(Key Laboratory of Inorganic Functional Materials and Devices, Shanghai Institute of Ceramics, Chinese Academy of Sciences, 1295 Dingxi Rd., Shanghai 200050, People’s Republic of China)

,

Lian Jianyun

(Key Laboratory of Inorganic Functional Materials and Devices, Shanghai Institute of Ceramics, Chinese Academy of Sciences, 1295 Dingxi Rd., Shanghai 200050, People’s Republic of China)

,

Lian Jianyun

(Institute of Electronics, Microelectronics and Nanotechnology (IEMN) - DOAE, UMR CNRS 8520, Universite′ de Valenciennes et du Hainaut Cambresis, 59313 Valenciennes Cedex 9, France)

,

Lian Jianyun

(University of Chinese Academy of Sciences, 19 A Yuquan Rd, Shijingshan District, Beijing 100049, People’s Republic of China)

,

Dong Xianlin

(Key Laboratory of Inorganic Functional Materials and Devices, Shanghai Institute of Ceramics, Chinese Academy of Sciences, 1295 Dingxi Rd., Shanghai 200050, People’s Republic of China)

資料名：

Materials Letters (Materials Letters)

巻： 195 ページ： 182-185 発行年： 2017年
JST資料番号： E0935A ISSN： 0167-577X 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：オランダ (NLD) 言語：英語 (EN)

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