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文献
J-GLOBAL ID：201702290661788188
整理番号：17A0151725
二元GaN/AlN量子ヘテロ構造単分子層を用いたMBE成長232~270nm深紫外LED
MBE-grown 232-270 nm deep-UV LEDs using monolayer thin binary GaN/AlN quantum heterostructures
Islam S. M.
(Department of Electrical and Computer Engineering, Cornell University, Ithaca, New York 14853, USA)
,
Lee Kevin
(Department of Electrical and Computer Engineering, Cornell University, Ithaca, New York 14853, USA)
,
Verma Jai
(Department of Electrical Engineering, University of Notre Dame, Notre Dame, Indiana 46556, USA)
,
Protasenko Vladimir
(Department of Electrical and Computer Engineering, Cornell University, Ithaca, New York 14853, USA)
,
Rouvimov Sergei
(Notre Dame Integrated Imaging Facility, University of Notre Dame, Notre Dame, Indiana 46556, USA)
,
Bharadwaj Shyam
(Department of Electrical and Computer Engineering, Cornell University, Ithaca, New York 14853, USA)
,
Xing Huili
(Department of Electrical and Computer Engineering, Cornell University, Ithaca, New York 14853, USA)
,
Jena Debdeep
(Department of Electrical and Computer Engineering, Cornell University, Ithaca, New York 14853, USA)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 110 号： 4 ページ： 041108-041108-5 発行年： 2017年01月23日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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