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文献
J-GLOBAL ID：201702290734592376
整理番号：17A1641112
溶液処理ジルコニウム酸化物ゲート誘電体を有するpチャネル一酸化スズトランジスタの性能改善【Powered by NICT】
Performance Improvement of p-Channel Tin Monoxide Transistors With a Solution-Processed Zirconium Oxide Gate Dielectric
Azmi Azida
(Department of Materials Science and Engineering, Inha University, Incheon, South Korea)
,
Lee Jiwon
(Department of Electronic Engineering, Hanyang University, Seoul, South Korea)
,
Gim Tae Jung
(Department of Electronic Engineering, Hanyang University, Seoul, South Korea)
,
Choi Rino
(Department of Materials Science and Engineering, Inha University, Incheon, South Korea)
,
Jeong Jae Kyeong
(Department of Electronic Engineering, Hanyang University, Seoul, South Korea)
資料名：
IEEE Electron Device Letters
(IEEE Electron Device Letters)
巻： 38 号： 11 ページ： 1543-1546 発行年： 2017年
JST資料番号： B0344B ISSN： 0741-3106 CODEN： EDLEDZ 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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