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文献
J-GLOBAL ID：201702290781148786
整理番号：17A1567865
自己整合,ゲートラスト,FDSOI,5.5nm Hf_0 8Zr_0 2O_2を有する強誘電体ゲートメモリデバイス,高耐久性と破壊回復【Powered by NICT】
Self-Aligned, Gate Last, FDSOI, Ferroelectric Gate Memory Device With 5.5-nm Hf0.8Zr0.2O2, High Endurance and Breakdown Recovery
Chatterjee Korok
(Department of Electrical Engineering and Computer Sciences, University of California, Berkeley, Berkeley, CA, USA)
,
Kim Sangwan
(Department of Electrical Engineering and Computer Sciences, University of California, Berkeley, Berkeley, CA, USA)
,
Karbasian Golnaz
(Department of Electrical Engineering and Computer Sciences, University of California, Berkeley, Berkeley, CA, USA)
,
Tan Ava J.
(Department of Electrical Engineering and Computer Sciences, University of California, Berkeley, Berkeley, CA, USA)
,
Yadav Ajay K.
(Department of Electrical Engineering and Computer Sciences, University of California, Berkeley, Berkeley, CA, USA)
,
Khan Asif I.
(Department of Electrical and Computer Engineering, Georgia Institute of Technology, Atlanta, GA, USA)
,
Hu Chenming
(Department of Electrical Engineering and Computer Sciences, University of California, Berkeley, Berkeley, CA, USA)
,
Salahuddin Sayeef
(Department of Electrical Engineering and Computer Sciences, University of California, Berkeley, Berkeley, CA, USA)
資料名：
IEEE Electron Device Letters
(IEEE Electron Device Letters)
巻： 38 号： 10 ページ： 1379-1382 発行年： 2017年
JST資料番号： B0344B ISSN： 0741-3106 CODEN： EDLEDZ 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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