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文献
J-GLOBAL ID：201702290783432492
整理番号：17A0579179
抵抗ランダムアクセスメモリにおける絶縁体として用いるための酸化インジウムスズ膜のO2プラズマ処理によって誘起される抵抗スイッチング特性
Resistance Switching Characteristics Induced by O2 Plasma Treatment of an Indium Tin Oxide Film for Use as an Insulator in Resistive Random Access Memory
CHEN Po-Hsun
(National Sun Yat-Sen Univ., Kaohsiung, TWN)
,
CHANG Ting-Chang
(National Sun Yat-Sen Univ., Kaohsiung, TWN)
,
CHANG Ting-Chang
(National Cheng Kung Univ., Tainan, TWN)
,
CHANG Kuan-Chang
(National Sun Yat-Sen Univ., Kaohsiung, TWN)
,
CHANG Kuan-Chang
(Tsinghua Univ., Beijing, CHN)
,
TSAI Tsung-Ming
(National Sun Yat-Sen Univ., Kaohsiung, TWN)
,
PAN Chih-Hung
(National Sun Yat-Sen Univ., Kaohsiung, TWN)
,
CHEN Min-Chen
(National Sun Yat-Sen Univ., Kaohsiung, TWN)
,
SU Yu-Ting
(National Sun Yat-Sen Univ., Kaohsiung, TWN)
,
LIN Chih-Yang
(National Sun Yat-Sen Univ., Kaohsiung, TWN)
,
TSENG Yi-Ting
(National Sun Yat-Sen Univ., Kaohsiung, TWN)
,
HUANG Hui-Chun
(National Sun Yat-Sen Univ., Kaohsiung, TWN)
,
WU Huaqiang
(Tsinghua Univ., Beijing, CHN)
,
DENG Ning
(Tsinghua Univ., Beijing, CHN)
,
QIAN He
(Tsinghua Univ., Beijing, CHN)
,
SZE Simon M.
(National Chiao Tung Univ., Hsinchu, TWN)
資料名：
ACS Applied Materials & Interfaces
(ACS Applied Materials & Interfaces)
巻： 9 号： 3 ページ： 3149-3155 発行年： 2017年01月25日
JST資料番号： W2329A ISSN： 1944-8244 CODEN： AAMICK 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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