文献
J-GLOBAL ID:201702291010284327
整理番号:17A1359871
22nm高k/metalゲートトライゲートCMOSによるドミノ読出し,静的書込みおよび8t1R1W SRAMアレイの保持に及ぼす加齢のF_max/V_minと雑音余裕の影響【Powered by NICT】
Fmax/Vmin and noise margin impacts of aging on domino read, static write, and retention of 8T 1R1W SRAM arrays in 22nm high-k/metal-gate tri-gate CMOS
著者 (6件):
Kulkami Jaydeep P.
(Circuit Research Lab, Intel Corporation, Hillsboro, OR, USA)
,
Tokunaga Carlos
(Circuit Research Lab, Intel Corporation, Hillsboro, OR, USA)
,
Cho Minki
(Circuit Research Lab, Intel Corporation, Hillsboro, OR, USA)
,
Khellah Muhammad M.
(Circuit Research Lab, Intel Corporation, Hillsboro, OR, USA)
,
Tschanz James W.
(Circuit Research Lab, Intel Corporation, Hillsboro, OR, USA)
,
De Vivek K.
(Circuit Research Lab, Intel Corporation, Hillsboro, OR, USA)
資料名:
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻:
2017
号:
VLSI Technology
ページ:
C116-C117
発行年:
2017年
JST資料番号:
W2441A
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)