前のページに戻る
この文献は全文を取り寄せることができます
JDreamⅢ複写サービスから文献全文の複写（冊子体のコピー）をお申込みできます。
ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です。
ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です。
既に、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDをお持ちの方
JDreamⅢ複写サービスのご利用が初めての方
取り寄せる文献のタイトルと詳細
文献
J-GLOBAL ID：201702291036394348
整理番号：17A1347666
ゲートCのための解析モデル UTB III V上の絶縁体MIS構造のI-V特性【Powered by NICT】
An Analytical Model for the Gate C-V Characteristics of UTB III-V-on-Insulator MIS Structure
Islam Muhammad Mainul
(Department of Electrical and Electronic Engineering, Khulna University of Engineering and Technology, Khulna, Bangladesh)
,
Alam Md. Nur Kutubul
(Department of Electrical and Electronic Engineering, Khulna University of Engineering and Technology, Khulna, Bangladesh)
,
Sarker Md. Shamim
(Department of Electrical and Electronic Engineering, Khulna University of Engineering and Technology, Khulna, Bangladesh)
,
Islam Md. Rafiqul
(Department of Electrical and Electronic Engineering, Khulna University of Engineering and Technology, Khulna, Bangladesh)
,
Haque Anisul
(Department of Electrical and Electronic Engineering, East West University, Dhaka, Bangladesh)
資料名：
IEEE Journal of the Electron Devices Society
(IEEE Journal of the Electron Devices Society)
巻： 5 号： 5 ページ： 335-339 発行年： 2017年
JST資料番号： W2429A ISSN： 2168-6734 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
JDreamⅢ複写サービスとは
JDreamⅢ複写サービスは、学術文献の全文を複写（コピー）して取り寄せできる有料サービスです。インターネットに公開されていない文献や、図書館に収録されていない文献の全文を、オンラインで取り寄せることができます。J-GLOBALの整理番号にも対応しているので、申し込みも簡単にできます。全文の複写（コピー）は郵送またはFAXでお送りします
※ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です
※初めてご利用される方は、JDreamⅢ複写サービスのご案内をご覧ください。
※ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です
※初めてご利用される方は、JDreamⅢ複写サービスのご案内をご覧ください。