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J-GLOBAL ID:201702291056198657   整理番号:17A0214335

信頼性と性能同時最適化を考慮したトンネルFETにおける絶縁破壊への深い洞察【Powered by NICT】

Deep insights into dielectric breakdown in tunnel FETs with awareness of reliability and performance co-optimization
著者 (16件):
Huang Qianqian
(Key Laboratory of Microelectronic Devices and Circuits (MOE), Institute of Microelectronics, Peking University, Beijing 100871, China)
Jia Rundong
(Key Laboratory of Microelectronic Devices and Circuits (MOE), Institute of Microelectronics, Peking University, Beijing 100871, China)
Zhu Jiadi
(Key Laboratory of Microelectronic Devices and Circuits (MOE), Institute of Microelectronics, Peking University, Beijing 100871, China)
Lv Zhu
(Key Laboratory of Microelectronic Devices and Circuits (MOE), Institute of Microelectronics, Peking University, Beijing 100871, China)
Wang Jiaxin
(Key Laboratory of Microelectronic Devices and Circuits (MOE), Institute of Microelectronics, Peking University, Beijing 100871, China)
Chen Cheng
(Key Laboratory of Microelectronic Devices and Circuits (MOE), Institute of Microelectronics, Peking University, Beijing 100871, China)
Zhao Yang
(Key Laboratory of Microelectronic Devices and Circuits (MOE), Institute of Microelectronics, Peking University, Beijing 100871, China)
Wang Runsheng
(Key Laboratory of Microelectronic Devices and Circuits (MOE), Institute of Microelectronics, Peking University, Beijing 100871, China)
Bu Weihai
(Semiconductor Manufacturing International Corporation (SMIC), Shanghai 201203 and Beijing 100176, China)
Wang Wenbo
(Semiconductor Manufacturing International Corporation (SMIC), Shanghai 201203 and Beijing 100176, China)
Kang Jin
(Semiconductor Manufacturing International Corporation (SMIC), Shanghai 201203 and Beijing 100176, China)
Hua Kelu
(Semiconductor Manufacturing International Corporation (SMIC), Shanghai 201203 and Beijing 100176, China)
Wu Hanming
(Semiconductor Manufacturing International Corporation (SMIC), Shanghai 201203 and Beijing 100176, China)
Yu Shaofeng
(Semiconductor Manufacturing International Corporation (SMIC), Shanghai 201203 and Beijing 100176, China)
Wang Yangyuan
(Key Laboratory of Microelectronic Devices and Circuits (MOE), Institute of Microelectronics, Peking University, Beijing 100871, China)
Huang Ru
(Key Laboratory of Microelectronic Devices and Circuits (MOE), Institute of Microelectronics, Peking University, Beijing 100871, China)

資料名:
IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)

巻: 2016  号: IEDM  ページ: 31.5.1-31.5.4  発行年: 2016年 
JST資料番号: W2441A  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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