文献
J-GLOBAL ID:201702291264463118
整理番号:17A1345136
AlInN/GaNにおけるゲート漏れ機構とAlGaN/GaN MIS-HEMTとそのモデル化【Powered by NICT】
Gate Leakage Mechanisms in AlInN/GaN and AlGaN/GaN MIS-HEMTs and Its Modeling
著者 (3件):
Dutta Gourab
(Department of Electrical Engineering, Microelectronics and MEMS Laboratory, IIT Madras, Chennai, India)
,
DasGupta Nandita
(Department of Electrical Engineering, Microelectronics and MEMS Laboratory, IIT Madras, Chennai, India)
,
DasGupta Amitava
(Department of Electrical Engineering, Microelectronics and MEMS Laboratory, IIT Madras, Chennai, India)
資料名:
IEEE Transactions on Electron Devices
(IEEE Transactions on Electron Devices)
巻:
64
号:
9
ページ:
3609-3615
発行年:
2017年
JST資料番号:
C0222A
ISSN:
0018-9383
CODEN:
IETDAI
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)