文献
J-GLOBAL ID:201702291331921790
整理番号:17A0758036
プレスパックSiC MOSFETの設計と評価【Powered by NICT】
Design and evaluation of press-pack SiC MOSFET
著者 (5件):
Zhu Nan
(College of Electrical Engineering, Zhejiang University, Hangzhou, China)
,
Chen Min
(College of Electrical Engineering, Zhejiang University, Hangzhou, China)
,
Xu Dehong
(College of Electrical Engineering, Zhejiang University, Hangzhou, China)
,
Mantooth H. Alan
(Department of Electrical Engineering, University of Arkansas, Fayetteville, AR, United States)
,
Glover Michael D.
(Department of Electrical Engineering, University of Arkansas, Fayetteville, AR, United States)
資料名:
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻:
2016
号:
WiPDA
ページ:
5-10
発行年:
2016年
JST資料番号:
W2441A
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)