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文献
J-GLOBAL ID：201702291332013742
整理番号：17A0057901
>260GHz f_Tを用いた高性能超四元InAlGaN障壁H EMT【Powered by NICT】
High performance ultra-thin quaternary InAlGaN barrier HEMTs with fT > 260 GHz
Zhu Guangrun
(Science and Technology on Monolithic Integrated Circuits and Modules Laboratory, Nanjing Electronic Devices Institute, No.524, Zhongshan East Road, Nanjing, P.R. China)
,
Zhang Kai
(Science and Technology on Monolithic Integrated Circuits and Modules Laboratory, Nanjing Electronic Devices Institute, No.524, Zhongshan East Road, Nanjing, P.R. China)
,
Yu Xinxin
(Science and Technology on Monolithic Integrated Circuits and Modules Laboratory, Nanjing Electronic Devices Institute, No.524, Zhongshan East Road, Nanjing, P.R. China)
,
Kong Yuechan
(Science and Technology on Monolithic Integrated Circuits and Modules Laboratory, Nanjing Electronic Devices Institute, No.524, Zhongshan East Road, Nanjing, P.R. China)
,
Chen Tangsheng
(Science and Technology on Monolithic Integrated Circuits and Modules Laboratory, Nanjing Electronic Devices Institute, No.524, Zhongshan East Road, Nanjing, P.R. China)
資料名：
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻： 2016 号： SSLChina: IFWS ページ： 101-103 発行年： 2016年
JST資料番号： W2441A 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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