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文献
J-GLOBAL ID：201702291385253170
整理番号：17A0385779
Cu/Cu分散型ZrO2/Ptメモリデバイスにおける安定した非極性抵抗スイッチング特性
Stable nonpolar resistive switching characteristics in Cu/Cu-dispersed ZrO2/Pt memory devices
Du Gang
(College of Materials and Environmental Engineering, Hangzhou Dianzi University, Hangzhou 310018, China)
,
Chen Zhian
(College of Materials and Environmental Engineering, Hangzhou Dianzi University, Hangzhou 310018, China)
,
Mao Qinan
(College of Materials and Environmental Engineering, Hangzhou Dianzi University, Hangzhou 310018, China)
,
Ji Zhenguo
(College of Materials and Environmental Engineering, Hangzhou Dianzi University, Hangzhou 310018, China)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 110 号： 9 ページ： 093507-093507-5 発行年： 2017年02月27日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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