文献
J-GLOBAL ID:201702291456134235
整理番号:17A1170528
III-窒化物MOVPE条件下でのサファイア基板温度の測定と熱的モデリング【Powered by NICT】
Measurement and thermal modeling of sapphire substrate temperature at III-Nitride MOVPE conditions
著者 (3件):
Creighton J. Randall
(JR Creighton Consulting, 4005 Embudito Dr. NE, Albuquerque, NM 87111, United States)
,
Coltrin Michael E.
(Sandia National Laboratories, P.O. Box 5800, MS-1086, Albuquerque, NM 87185, United States)
,
Figiel Jeffrey J.
(Sandia National Laboratories, P.O. Box 5800, MS-1086, Albuquerque, NM 87185, United States)
資料名:
Journal of Crystal Growth
(Journal of Crystal Growth)
巻:
464
ページ:
132-137
発行年:
2017年
JST資料番号:
B0942A
ISSN:
0022-0248
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
オランダ (NLD)
言語:
英語 (EN)