文献
J-GLOBAL ID:201702291483483192
整理番号:17A1391406
SiN_x蒸着を用いたAlGaN/GaNH EMTにおけるバッファ誘起電流コラプスの制御【Powered by NICT】
Control of Buffer-Induced Current Collapse in AlGaN/GaN HEMTs Using SiNx Deposition
著者 (9件):
Waller William M.
(H. H. Wills Physics Laboratory, University of Bristol, Bristol, U.K.)
,
Gajda Mark
(Nexperia, Stockport, U.K.)
,
Pandey Saurabh
(Nexperia, Stockport, U.K.)
,
Donkers Johan J. T. M.
(NXP Semiconductors, Eindhoven, The Netherlands)
,
Calton David
(NXP Semiconductors, Eindhoven, The Netherlands)
,
Croon Jeroen
(NXP Semiconductors, Eindhoven, The Netherlands)
,
Sonsky Jan
(NXP Semiconductors, Eindhoven, The Netherlands)
,
Uren Michael J.
(H. H. Wills Physics Laboratory, University of Bristol, Bristol, U.K.)
,
Kuball Martin
(H. H. Wills Physics Laboratory, University of Bristol, Bristol, U.K.)
資料名:
IEEE Transactions on Electron Devices
(IEEE Transactions on Electron Devices)
巻:
64
号:
10
ページ:
4044-4049
発行年:
2017年
JST資料番号:
C0222A
ISSN:
0018-9383
CODEN:
IETDAI
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)