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文献
J-GLOBAL ID：201702291653014269
整理番号：17A0458906
第一原理分子動力学に基づくグラフェンのSiC(0001)表面への初期形成過程の解析
Analysis of Initial Formation Process of Graphene on SiC(0001) Surfaces Based on the First-Principles Molecular Dynamics
IMOTO Fumihiro
(Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
,
IWATA Jun-Ichi
(Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
,
BOERO Mauro
(Univ. Strasbourg, Strasbourg, FRA)
,
OSHIYAMA Atsushi
(Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
資料名：
フラーレン・ナノチューブ・グラフェン総合シンポジウム講演要旨集
(Abstracts. Fullerenes-Nanotubes-Graphene General Symposium)
巻： 52nd ページ： 152 発行年： 2017年03月01日
JST資料番号： L1472A 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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