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文献
J-GLOBAL ID：201702291712023584
整理番号：17A1250065
電荷トラッピング/デトラッピングによって誘起された抵抗スイッチング:ある種のNb:SrTiO_3ベースヘテロ接合における巨大電気抵抗のための統一機構【Powered by NICT】
Resistive switching induced by charge trapping/detrapping: a unified mechanism for colossal electroresistance in certain Nb:SrTiO3-based heterojunctions
Fan Zhen
(Institute for Advanced Materials (IAM) and Guangdong Provincial Key Laboratory of Quantum Engineering and Quantum Materials, South China Academy of Advanced Optoelectronics, South China Normal University, Guangzhou 510006, China. fanzhen@m.scnu.edu.cn fanhua3011@outlook.com)
,
Fan Hua
,
Yang Lin
,
Li Peilian
,
Lu Zengxing
,
Tian Guo
,
Huang Zhifeng
,
Li Zhongwen
,
Yao Junxiang
,
Luo Qiuyuan
,
Chen Chao
,
Chen Deyang
,
Yan Zhibo
,
Zeng Min
,
Lu Xubing
,
Gao Xingsen
,
Liu Jun-Ming
資料名：
Journal of Materials Chemistry C. Materials for Optical, Magnetic and Electronic Devices
(Journal of Materials Chemistry C. Materials for Optical, Magnetic and Electronic Devices)
巻： 5 号： 29 ページ： 7317-7327 発行年： 2017年
JST資料番号： W2383A ISSN： 2050-7526 CODEN： JMCCCX 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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