前のページに戻る
この文献は全文を取り寄せることができます
JDreamⅢ複写サービスから文献全文の複写（冊子体のコピー）をお申込みできます。
ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です。
ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です。
既に、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDをお持ちの方
JDreamⅢ複写サービスのご利用が初めての方
取り寄せる文献のタイトルと詳細
文献
J-GLOBAL ID：201702291732933143
整理番号：17A1345187
平均熱伝導率を用いたオンウエハSiGeH BTの熱抵抗の正確なモデル化【Powered by NICT】
Accurate Modeling of Thermal Resistance for On-Wafer SiGe HBTs Using Average Thermal Conductivity
Balanethiram Suresh
(IMS Laboratory, University of Bordeaux, Bordeaux, France)
,
Chakravorty Anjan
(Department of Electrical Engineering, IIT Madras, Chennai, India)
,
D’Esposito Rosario
(IMS Laboratory, University of Bordeaux, Bordeaux, France)
,
Fregonese Sebastien
(IMS Laboratory, University of Bordeaux, Bordeaux, France)
,
Celi Didier
(STMicroelectronics, Crolles, France)
,
Zimmer Thomas
(IMS Laboratory, University of Bordeaux, Bordeaux, France)
資料名：
IEEE Transactions on Electron Devices
(IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 64 号： 9 ページ： 3955-3960 発行年： 2017年
JST資料番号： C0222A ISSN： 0018-9383 CODEN： IETDAI 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
JDreamⅢ複写サービスとは
JDreamⅢ複写サービスは、学術文献の全文を複写（コピー）して取り寄せできる有料サービスです。インターネットに公開されていない文献や、図書館に収録されていない文献の全文を、オンラインで取り寄せることができます。J-GLOBALの整理番号にも対応しているので、申し込みも簡単にできます。全文の複写（コピー）は郵送またはFAXでお送りします
※ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です
※初めてご利用される方は、JDreamⅢ複写サービスのご案内をご覧ください。
※ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です
※初めてご利用される方は、JDreamⅢ複写サービスのご案内をご覧ください。