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文献
J-GLOBAL ID：201702291787374332
整理番号：17A0026000
71~76と81~86GHzで動作するパワーアンプのための0.1μm InAlN/GaN高電子移動度トランジスタ:パシベーションとゲートリセスの影響
0.1- $¥mu ¥text{m}$ InAlN/GaN High Electron-Mobility Transistors for Power Amplifiers Operating at 71-76 and 81-86 GHz: Impact of Passivation and Gate Recess
Xu Dong
(Microelectronics Center, BAE Systems, Nashua, NH, USA)
,
Chu Kanin
(Microelectronics Center, BAE Systems, Nashua, NH, USA)
,
Diaz Jose A.
(Microelectronics Center, BAE Systems, Nashua, NH, USA)
,
Ashman Michael D.
(Microelectronics Center, BAE Systems, Nashua, NH, USA)
,
Komiak J. J.
(Microelectronics Center, BAE Systems, Nashua, NH, USA)
,
Mt. Pleasant Louis M.
(Microelectronics Center, BAE Systems, Nashua, NH, USA)
,
Vera Alice
(Microelectronics Center, BAE Systems, Nashua, NH, USA)
,
Seekell Philip
(Microelectronics Center, BAE Systems, Nashua, NH, USA)
,
Yang Xiaoping
(Microelectronics Center, BAE Systems, Nashua, NH, USA)
,
Creamer Carlton
(Microelectronics Center, BAE Systems, Nashua, NH, USA)
,
Nichols K. B.
(Microelectronics Center, BAE Systems, Nashua, NH, USA)
,
Duh K. H. George
(Microelectronics Center, BAE Systems, Nashua, NH, USA)
,
Smith Phillip M.
(Microelectronics Center, BAE Systems, Nashua, NH, USA)
,
Chao P. C.
(Microelectronics Center, BAE Systems, Nashua, NH, USA)
,
Dong Lin
(School of Electrical and Computer Engineering, Purdue University, West Lafayette, IN, USA)
,
Ye Peide D.
(School of Electrical and Computer Engineering, Purdue University, West Lafayette, IN, USA)
資料名：
IEEE Transactions on Electron Devices
(IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 63 号： 8 ページ： 3076-3083 発行年： 2016年
JST資料番号： C0222A ISSN： 0018-9383 CODEN： IETDAI 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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