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文献
J-GLOBAL ID:201702291878632247   整理番号:17A0086770

投影型電子顕微鏡システムを用いた11nmハーフピッチ形成のための極端紫外線リソグラフィのパターンマスク検査の最近の結果

Recent results from extreme ultraviolet lithography patterned mask inspection for 11nm half-pitch generation using projection electron microscope system
著者 (8件):
HIRANO Ryoichi
(EUVL Infrastructure Dev. Center, Inc., Ibaraki, JPN)
IIDA Susumu
(EUVL Infrastructure Dev. Center, Inc., Ibaraki, JPN)
AMANO Tsuyoshi
(EUVL Infrastructure Dev. Center, Inc., Ibaraki, JPN)
WATANABE Hidehiro
(EUVL Infrastructure Dev. Center, Inc., Ibaraki, JPN)
HATAKEYAMA Masahiro
(Ebara Corp., Fujisawa, JPN)
MURAKAMI Takeshi
(Ebara Corp., Fujisawa, JPN)
SUEMATSU Kenichi
(Ebara Corp., Fujisawa, JPN)
TERAO Kenji
(Ebara Corp., Fujisawa, JPN)

資料名:
Proceedings of SPIE  (Proceedings of SPIE)

巻: 9984  ページ: 99840M.1-99840M.6  発行年: 2016年 
JST資料番号: D0943A  ISSN: 0277-786X  CODEN: PSISDG  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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