文献
J-GLOBAL ID:201702291878632247
整理番号:17A0086770
投影型電子顕微鏡システムを用いた11nmハーフピッチ形成のための極端紫外線リソグラフィのパターンマスク検査の最近の結果
Recent results from extreme ultraviolet lithography patterned mask inspection for 11nm half-pitch generation using projection electron microscope system
著者 (8件):
HIRANO Ryoichi
(EUVL Infrastructure Dev. Center, Inc., Ibaraki, JPN)
,
IIDA Susumu
(EUVL Infrastructure Dev. Center, Inc., Ibaraki, JPN)
,
AMANO Tsuyoshi
(EUVL Infrastructure Dev. Center, Inc., Ibaraki, JPN)
,
WATANABE Hidehiro
(EUVL Infrastructure Dev. Center, Inc., Ibaraki, JPN)
,
HATAKEYAMA Masahiro
(Ebara Corp., Fujisawa, JPN)
,
MURAKAMI Takeshi
(Ebara Corp., Fujisawa, JPN)
,
SUEMATSU Kenichi
(Ebara Corp., Fujisawa, JPN)
,
TERAO Kenji
(Ebara Corp., Fujisawa, JPN)
資料名:
Proceedings of SPIE
(Proceedings of SPIE)
巻:
9984
ページ:
99840M.1-99840M.6
発行年:
2016年
JST資料番号:
D0943A
ISSN:
0277-786X
CODEN:
PSISDG
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)