文献
J-GLOBAL ID:201702291944767146
整理番号:17A0754672
サイズと密度は制御された記憶応用のためのAgナノクラスタに埋め込まれたMOS構造【Powered by NICT】
Size and density controlled Ag nanocluster embedded MOS structure for memory applications
著者 (7件):
Biswas Debaleen
(Saha Institute of Nuclear Physics, 1/AF Bidhannagar, Kolkata 700064, India)
,
Mondal Shyamal
(Maharaja Manindra Chandra College, 20, R. Bose St, Kolkata 700003, India)
,
Rakshit Abhishek
(Saha Institute of Nuclear Physics, 1/AF Bidhannagar, Kolkata 700064, India)
,
Rakshit Abhishek
(Homi Bhabha National Institute, BARC Training School Complex, Anushaktinagar, Mumbai 400094, India)
,
Bose Arijit
(Jadavpur University, 188, Raja S. C. Mallick Road, Kolkata 700032, India)
,
Bhattacharyya Satyaranjan
(Saha Institute of Nuclear Physics, 1/AF Bidhannagar, Kolkata 700064, India)
,
Chakraborty Supratic
(Saha Institute of Nuclear Physics, 1/AF Bidhannagar, Kolkata 700064, India)
資料名:
Materials Science in Semiconductor Processing
(Materials Science in Semiconductor Processing)
巻:
63
ページ:
1-5
発行年:
2017年
JST資料番号:
W1055A
ISSN:
1369-8001
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)