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文献
J-GLOBAL ID：201702292007417322
整理番号：17A0144075
InAlN/GaNH EMT技術を用いたKaバンドLNAにおけるRFステップストレスにより誘導された自己バイアス効果【Powered by NICT】
Self-biasing effects induced by RF step-stress in Ka-band LNAs based on InAlN/GaN HEMT technology
Tartarin J.G.
(LAAS-CNRS and University of Toulouse (UPS), F31-031, Toulouse, France)
,
Nsele S.D.
(LAAS-CNRS and University of Toulouse (UPS), F31-031, Toulouse, France)
,
Piotrowicz S.
(Thales Research Technology, III-V Lab, Palaiseau, France)
,
Delage S.
(Thales Research Technology, III-V Lab, Palaiseau, France)
資料名：
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻： 2016 号： EuMC ページ： 1409-1412 発行年： 2016年
JST資料番号： W2441A 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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