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文献
J-GLOBAL ID：201702292084420736
整理番号：17A1380871
抵抗変化型不揮発性メモリ応用のためのCu/AlN/Pt構造におけるバイポーラ抵抗スイッチング挙動【Powered by NICT】
Bipolar resistive switching behavior in Cu/AlN/Pt structure for ReRAM application
Prakash Ravi
(Functional Nanomaterials Research Lab, Department of Physics and Centre for Nanotechnology, Indian Institute of Technology Roorkee, Roorkee 247667, Uttarakhand, India)
,
Kaur Davinder
(Functional Nanomaterials Research Lab, Department of Physics and Centre for Nanotechnology, Indian Institute of Technology Roorkee, Roorkee 247667, Uttarakhand, India)
資料名：
Vacuum
(Vacuum)
巻： 143 ページ： 102-105 発行年： 2017年
JST資料番号： E0347A ISSN： 0042-207X 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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