文献
J-GLOBAL ID:201702292135708310
整理番号:17A0240781
MOSトランジスタに及ぼす強磁場の影響【Powered by NICT】
On the influence of strong magnetic field on MOS transistors
著者 (8件):
Hebrard L.
(ICube - Universite ́ de Strasbourg / CNRS, 23, rue du Loess - Strasbourg, France)
,
Nguyen D. V.
(ICube - Universite ́ de Strasbourg / CNRS, 23, rue du Loess - Strasbourg, France)
,
Vogel D.
(ICube - Universite ́ de Strasbourg / CNRS, 23, rue du Loess - Strasbourg, France)
,
Schell J.-B.
(ICube - Universite ́ de Strasbourg / CNRS, 23, rue du Loess - Strasbourg, France)
,
Po C.
(ICube - Universite ́ de Strasbourg / CNRS, 23, rue du Loess - Strasbourg, France)
,
Dumas N.
(ICube - Universite ́ de Strasbourg / CNRS, 23, rue du Loess - Strasbourg, France)
,
Uhring W.
(ICube - Universite ́ de Strasbourg / CNRS, 23, rue du Loess - Strasbourg, France)
,
Pascal J.
(University of Applied Sciences and Arts Northwestern, Switzerland FHNW, Muttenz, Switzerland)
資料名:
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻:
2016
号:
ICECS
ページ:
564-567
発行年:
2016年
JST資料番号:
W2441A
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)