文献
J-GLOBAL ID:201702292137324874
整理番号:17A0955317
ゲートスイッチング動作で誘起されるSiC-MOSFETの正バイアス温度不安定
Positive bias temperature instability of SiC-MOSFETs induced by gate-switching operation
著者 (4件):
MURAKAMI Eiichi
(Kyushu Sangyo Univ., Fukuoka, JPN)
,
FURUICHI Takahiro
(Kyushu Sangyo Univ., Fukuoka, JPN)
,
TAKESHITA Tatsuya
(Kyushu Sangyo Univ., Fukuoka, JPN)
,
ODA Kazuhiro
(Kyushu Sangyo Univ., Fukuoka, JPN)
資料名:
Japanese Journal of Applied Physics
(Japanese Journal of Applied Physics)
巻:
56
号:
4S
ページ:
04CR11.1-04CR11.6
発行年:
2017年04月
JST資料番号:
G0520B
ISSN:
0021-4922
CODEN:
JJAPB6
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)