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文献
J-GLOBAL ID：201702292949979032
整理番号：17A0399736
NH_3分子ビームエピタクシーによる(110)Si基板上に成長させた固体Fe源を用いたFeドープ半絶縁性GaN【Powered by NICT】
Fe-doped semi-insulating GaN with solid Fe source grown on (110) Si substrates by NH3 molecular beam epitaxy
Noh Young Kyun
(School of Electrical Engineering, Hanyang University, 55 Hanyangdeahak-ro, Sangnok-gu, Ansan, Gyeonggi-do 15588, Republic of Korea)
,
Noh Young Kyun
(IV Works Co., Ltd., 10-27 Expo-ro 339beon-gil, Daejeon 34122, Yuseong-gu, Republic of Korea)
,
Lee Sang Tae
(Department of Physics, Chungnam National University, 99 Daehak-ro, Yuseong-gu, Daejeon 34134, Republic of Korea)
,
Kim Moon Deock
(Department of Physics, Chungnam National University, 99 Daehak-ro, Yuseong-gu, Daejeon 34134, Republic of Korea)
,
Oh Jae Eung
(School of Electrical Engineering, Hanyang University, 55 Hanyangdeahak-ro, Sangnok-gu, Ansan, Gyeonggi-do 15588, Republic of Korea)
資料名：
Journal of Crystal Growth
(Journal of Crystal Growth)
巻： 460 ページ： 37-41 発行年： 2017年
JST資料番号： B0942A ISSN： 0022-0248 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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