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文献
J-GLOBAL ID：201702293460437041
整理番号：17A0955246
HfO2/Al2O3/InGaAsゲートスタックを有するMOSFETにおけるゲート電圧掃引幅と堆積温度に対する電子移動度の依存性
Dependence of electron mobility on gate voltage sweeping width and deposition temperature in MOSFETs with HfO2/Al2O3/InGaAs gate stacks
OHSAWA Kazuto
(Tokyo Inst. of Technol., Tokyo, JPN)
,
NETSU Seiko
(Tokyo Inst. of Technol., Tokyo, JPN)
,
KISE Nobukazu
(Tokyo Inst. of Technol., Tokyo, JPN)
,
NOGUCHI Shinji
(Tokyo Inst. of Technol., Tokyo, JPN)
,
MIYAMOTO Yasuyuki
(Tokyo Inst. of Technol., Tokyo, JPN)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics
(Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 56 号： 4S ページ： 04CG05.1-04CG05.5 発行年： 2017年04月
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 CODEN： JJAPB6 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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