文献
J-GLOBAL ID:201702293532321565
整理番号:17A0214152
自己整合InGaAs MOSFETと低減における電場誘起F~-移動【Powered by NICT】
Electric-field induced F- migration in self-aligned InGaAs MOSFETs and mitigation
著者 (4件):
Cai Xiaowei
(Microsystems Technology Laboratories, MIT, 60 Vassar St, Cambridge, MA, 02139 USA)
,
Lin Jianqiang
(Microsystems Technology Laboratories, MIT, 60 Vassar St, Cambridge, MA, 02139 USA)
,
Antoniadis Dimitri A.
(Microsystems Technology Laboratories, MIT, 60 Vassar St, Cambridge, MA, 02139 USA)
,
del Alamo Jesus A.
(Microsystems Technology Laboratories, MIT, 60 Vassar St, Cambridge, MA, 02139 USA)
資料名:
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻:
2016
号:
IEDM
ページ:
3.4.1-3.4.4
発行年:
2016年
JST資料番号:
W2441A
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)