文献
J-GLOBAL ID:201702293853890209
整理番号:17A1781627
10nm幅のSOI nMOSΩゲートナノワイヤのトランジスタ効率に及ぼすバックゲート効果【Powered by NICT】
Back gate influence on transistor efficiency of SOI nMOS Ω-gate nanowire down to 10nm width
著者 (8件):
Itocazu Vitor T.
(LSI/PSI/USP, University of Sao Paulo, Sao Paulo, Brazil)
,
Almeida Luciano M.
(LSI/PSI/USP, University of Sao Paulo, Sao Paulo, Brazil)
,
Sonnenberg Victor
(LSI/PSI/USP, University of Sao Paulo, Sao Paulo, Brazil)
,
Agopian Paula G. D.
(LSI/PSI/USP, University of Sao Paulo, Sao Paulo, Brazil)
,
Barraud Sylvain
(CEA, LETI, Minatec Campus and University Grenoble Alpes, 38054 Grenoble, France)
,
Vinet Maud
(CEA, LETI, Minatec Campus and University Grenoble Alpes, 38054 Grenoble, France)
,
Faynot Olivier
(CEA, LETI, Minatec Campus and University Grenoble Alpes, 38054 Grenoble, France)
,
Martino Joao A.
(LSI/PSI/USP, University of Sao Paulo, Sao Paulo, Brazil)
資料名:
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻:
2017
号:
SBMicro
ページ:
1-4
発行年:
2017年
JST資料番号:
W2441A
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)