前のページに戻る
この文献は全文を取り寄せることができます
JDreamⅢ複写サービスから文献全文の複写（冊子体のコピー）をお申込みできます。
ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です。
ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です。
既に、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDをお持ちの方
JDreamⅢ複写サービスのご利用が初めての方
取り寄せる文献のタイトルと詳細
文献
J-GLOBAL ID：201702293977225597
整理番号：17A0640864
Cu-SiO2-p-InSb MIS構造の容量電圧特性の特徴
Specific Features of the Capacitance-Voltage Characteristics of a Cu-SiO2-p-InSb MIS Structure
ALIEV R. A.
(Dagestan Scientific Center, Russian Acad. Sci., Makhachkala, RUS)
,
GAJIEV G. M.
(Dagestan Scientific Center, Russian Acad. Sci., Makhachkala, RUS)
,
GADZHIALIEV M. M.
(Dagestan Scientific Center, Russian Acad. Sci., Makhachkala, RUS)
,
ISMAILOV A. M.
(Dagestan Scientific Center, Russian Acad. Sci., Makhachkala, RUS)
,
ISMAILOV A. M.
(Dagestan State Univ., Makhachkala, RUS)
,
PIRMAGOMEDOV Z. Sh.
(Dagestan Scientific Center, Russian Acad. Sci., Makhachkala, RUS)
資料名：
Semiconductors
(Semiconductors)
巻： 51 号： 3 ページ： 367-369 発行年： 2017年03月
JST資料番号： T0093A ISSN： 1063-7826 CODEN： SMICES 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
JDreamⅢ複写サービスとは
JDreamⅢ複写サービスは、学術文献の全文を複写（コピー）して取り寄せできる有料サービスです。インターネットに公開されていない文献や、図書館に収録されていない文献の全文を、オンラインで取り寄せることができます。J-GLOBALの整理番号にも対応しているので、申し込みも簡単にできます。全文の複写（コピー）は郵送またはFAXでお送りします
※ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です
※初めてご利用される方は、JDreamⅢ複写サービスのご案内をご覧ください。
※ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です
※初めてご利用される方は、JDreamⅢ複写サービスのご案内をご覧ください。