文献
J-GLOBAL ID:201702295142645621
整理番号:17A0842631
超薄無機a-InGaZnO薄膜トランジスタにおける非理想電流降下挙動
Non-ideal current drop behavior in ultra-thin inorganic a-InGaZnO thin film transistors
著者 (8件):
KANG Won Jun
(Sungkyunkwan Univ., Gyeonggi-do, KOR)
,
KIM Kyung Su
(Sungkyunkwan Univ., Gyeonggi-do, KOR)
,
AHN Cheol Hyoun
(Sungkyunkwan Univ., Gyeonggi-do, KOR)
,
CHO Sung Woon
(Sungkyunkwan Univ., Gyeonggi-do, KOR)
,
KIM Da Eun
(Sungkyunkwan Univ., Gyeonggi-do, KOR)
,
KIM Bora
(Sungkyunkwan Univ., Gyeonggi-do, KOR)
,
CHO Hyung Koun
(Sungkyunkwan Univ., Gyeonggi-do, KOR)
,
KIM Yunseok
(Sungkyunkwan Univ., Gyeonggi-do, KOR)
資料名:
Journal of Materials Science. Materials in Electronics
(Journal of Materials Science. Materials in Electronics)
巻:
28
号:
11
ページ:
8231-8237
発行年:
2017年06月
JST資料番号:
W0003A
ISSN:
0957-4522
CODEN:
JMTSAS
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)