文献
J-GLOBAL ID:201702295437307170
整理番号:17A0085646
gated Hall測定によるInGaAs反転層gated Hall移動度および界面トラップ密度
InGaAs Inversion Layer Mobility and Interface Trap Density From Gated Hall Measurements
著者 (6件):
Chidambaram T.
(SUNY Polytechnic Institute, Albany, NY, USA)
,
Veksler D.
(NIST, Gaithersburg, MD, USA)
,
Madisetti S.
(SUNY Polytechnic Institute, Albany, NY, USA)
,
Yakimov M.
(SUNY Polytechnic Institute, Albany, NY, USA)
,
Tokranov V.
(SUNY Polytechnic Institute, Albany, NY, USA)
,
Oktyabrsky S.
(SUNY Polytechnic Institute, Albany, NY, USA)
資料名:
IEEE Electron Device Letters
(IEEE Electron Device Letters)
巻:
37
号:
12
ページ:
1547-1550
発行年:
2016年
JST資料番号:
B0344B
ISSN:
0741-3106
CODEN:
EDLEDZ
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)