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文献
J-GLOBAL ID：201702295462463507
整理番号：17A1221168
AlGaN/GaN高電子移動度トランジスタのソースリーク電流による電流コラプスモードとその影響
Novel current collapse mode induced by source leakage current in AlGaN/GaN high-electron-mobility transistors and its impact
TSUBOMI Kunihiro
(Tohoku Univ., Sendai, JPN)
,
TSUBOMI Kunihiro
(JST-ACCEL, Sendai, JPN)
,
MURAGUCHI Masakazu
(Tohoku Univ., Sendai, JPN)
,
MURAGUCHI Masakazu
(JST-ACCEL, Sendai, JPN)
,
ENDOH Tetsuo
(Tohoku Univ., Sendai, JPN)
,
ENDOH Tetsuo
(JST-ACCEL, Sendai, JPN)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics
(Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 55 号： 8S2 ページ： 08PD06.1-08PD06.5 発行年： 2016年08月
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 CODEN： JJAPB6 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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