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文献
J-GLOBAL ID：201702297431701305
整理番号：17A0239342
抵抗スイッチング動作を用いたメムリスタの変動性を説明するための物理ベース回路モデル【Powered by NICT】
A physically based circuit model to account for variability in memristors with resistive switching operation
Picos R.
(Electronic Engineering Group, Physics Department, Universitat de les Illes Balears (Spain))
,
Roldan J. B.
(Departamento de Electronica y Tecnologia de los Computadores. Universidad de Granada, (Spain))
,
Chawa M. M. Al
(Electronic Engineering Group, Physics Department, Universitat de les Illes Balears (Spain))
,
Jimenez-Molinos F.
(Departamento de Electronica y Tecnologia de los Computadores. Universidad de Granada, (Spain))
,
Garcia-Moreno E.
(Electronic Engineering Group, Physics Department, Universitat de les Illes Balears (Spain))
資料名：
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻： 2016 号： DCIS ページ： 1-6 発行年： 2016年
JST資料番号： W2441A 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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