文献
J-GLOBAL ID:201702299811603477
整理番号:17A1833430
半導体ナノワイヤにおける表面トラップ誘起伝導率型スイッチング:解析的および数値的解析【Powered by NICT】
Surface Trap-Induced Conductivity Type Switching in Semiconductor Nanowires: Analytical and Numerical Analyses
著者 (3件):
Yesayan Ashkhen
(Institute of Radiophysics and Electronics, NAS RA, Ashtarak, Armenia)
,
Pregaldiny Fabien
(ICube, Universite ́ de Strasbourg-CNRS, Illkirch Cedex, France)
,
Petrosyan Stepan
(Institute of Mathematics and High Technology, Russian-Armenian (Slavonic) University, Yerevan, Armenia)
資料名:
IEEE Transactions on Electron Devices
(IEEE Transactions on Electron Devices)
巻:
64
号:
12
ページ:
5249-5255
発行年:
2017年
JST資料番号:
C0222A
ISSN:
0018-9383
CODEN:
IETDAI
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)