文献
J-GLOBAL ID:201802210093816771
整理番号:18A1259371
GaN HEMT技術による高線形電力増幅器の設計【JST・京大機械翻訳】
Design of a high linearity power amplifier in GaN HEMT technology
著者 (4件):
Zhao Yinghong
(Nanjing Electronic Devices Institute, Nanjing, 210016, P.R. China)
,
Xue Yu
(Nanjing Electronic Devices Institute, Nanjing, 210016, P.R. China)
,
Qian Feng
(Science and Technology on Monolithic Integrated and Modules Laboratory, Nanjing Electronic Devices Institute, Nanjing, 210016, P.R. China)
,
Zheng Weibin
(Science and Technology on Monolithic Integrated and Modules Laboratory, Nanjing Electronic Devices Institute, Nanjing, 210016, P.R. China)
資料名:
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻:
2018
号:
IWS
ページ:
1-3
発行年:
2018年
JST資料番号:
W2441A
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)