文献
J-GLOBAL ID:201802210156118594
整理番号:18A1768084
トップゲート単層MOS_2トランジスタにおける接触抵抗に及ぼす高k誘電体媒介ドーピングの影響の解析【JST・京大機械翻訳】
Analyzing the Effect of High-k Dielectric-Mediated Doping on Contact Resistance in Top-Gated Monolayer MoS2 Transistors
著者 (2件):
Alharbi Abdullah
(Department of Electrical and Computer Engineering, New York University, Brooklyn, NY, USA)
,
Shahrjerdi Davood
(Department of Electrical and Computer Engineering, New York University, Brooklyn, NY, USA)
資料名:
IEEE Transactions on Electron Devices
(IEEE Transactions on Electron Devices)
巻:
65
号:
10
ページ:
4084-4092
発行年:
2018年
JST資料番号:
C0222A
ISSN:
0018-9383
CODEN:
IETDAI
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)