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文献
J-GLOBAL ID:201802210186558008   整理番号:18A1697464

分子線エピタキシーにより成長させたセレン化バナジウム薄膜の成長と構造の特性評価

Growth and structural characterization of vanadium selenide thin films grown by molecular-beam epitaxy
著者 (14件):
WANG Yue
(Univ. Tokyo)
NAKANO Masaki
(Univ. Tokyo)
YOSHIDA Satoshi
(Univ. Tokyo)
BAHRAMY Mohammad Saeed
(Univ. Tokyo)
BAHRAMY Mohammad Saeed
(RIKEN CEMS)
MATSUOKA Hideki
(Univ. Tokyo)
MAJIMA Yuki
(Univ. Tokyo)
OHIGASHI Yuta
(Univ. Tokyo)
KASHIWABARA Yuta
(Univ. Tokyo)
SAKANO Masato
(Univ. Tokyo)
ISHIZAKA Kyoko
(Univ. Tokyo)
ISHIZAKA Kyoko
(RIKEN CEMS)
IWASA Yoshihiro
(Univ. Tokyo)
IWASA Yoshihiro
(RIKEN CEMS)

資料名:
応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))

巻: 79th  ページ: ROMBUNNO.18p-224B-6  発行年: 2018年09月05日 
JST資料番号: Y0055B  ISSN: 2758-4704  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 短報  発行国: 日本 (JPN)  言語: 英語 (EN)
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