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文献
J-GLOBAL ID：201802210575152576
整理番号：18A1768095
チャネルとして単層および数層2D材料を用いたバンドからバンドへのトンネルFETのab initioシミュレーション【JST・京大機械翻訳】
Ab Initio Simulation of Band-to-Band Tunneling FETs With Single- and Few-Layer 2-D Materials as Channels
Szabo Aron
(Integrated Systems Laboratory, ETH Zuerich, Zuerich, Switzerland)
,
Klinkert Cedric
(Integrated Systems Laboratory, ETH Zuerich, Zuerich, Switzerland)
,
Campi Davide
(Laboratory of Theory and Simulation of Materials, E ́cole Polytechnique Fe ́de ́rale de Lausanne, Lausanne, Switzerland)
,
Stieger Christian
(Integrated Systems Laboratory, ETH Zuerich, Zuerich, Switzerland)
,
Marzari Nicola
(Laboratory of Theory and Simulation of Materials, E ́cole Polytechnique Fe ́de ́rale de Lausanne, Lausanne, Switzerland)
,
Luisier Mathieu
(Integrated Systems Laboratory, ETH Zuerich, Zuerich, Switzerland)
資料名：
IEEE Transactions on Electron Devices
(IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 65 号： 10 ページ： 4180-4187 発行年： 2018年
JST資料番号： C0222A ISSN： 0018-9383 CODEN： IETDAI 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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