前のページに戻る
この文献は全文を取り寄せることができます
JDreamⅢ複写サービスから文献全文の複写（冊子体のコピー）をお申込みできます。
ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です。
ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です。
既に、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDをお持ちの方
JDreamⅢ複写サービスのご利用が初めての方
取り寄せる文献のタイトルと詳細
文献
J-GLOBAL ID：201802210677261881
整理番号：18A0442474
Cu板上のAg焼結層を用いた直接チップボンディングを用いたSiCとSi電力素子のTCT下での熱応力の比較【Powered by NICT】
Comparison of thermal stress under TCT between SiC and Si power devices using direct chip-bonding with ag sintered layer on Cu plate
Kanemoto Masaki
(Department of Electronics and Electrical Engineering, Faculty of Science and Technology, Keio University, Yokohama, Kanagawa 223-8521, Japan)
,
Aoki Masaaki
(Department of Electronics and Electrical Engineering, Faculty of Science and Technology, Keio University, Yokohama, Kanagawa 223-8521, Japan)
,
Mochizuki Akihiro
(MacDermid Performance Solutions, Hiratsuka, Kanagawa 254-0082, Japan)
,
Murakami Yoshio
(MacDermid Performance Solutions, Hiratsuka, Kanagawa 254-0082, Japan)
,
Tsunoda Mutsuharu
(MacDermid Performance Solutions, Hiratsuka, Kanagawa 254-0082, Japan)
,
Yoshinari Goro
(MacDermid Performance Solutions, Hiratsuka, Kanagawa 254-0082, Japan)
,
Nakano Nobuhiko
(Department of Electronics and Electrical Engineering, Faculty of Science and Technology, Keio University, Yokohama, Kanagawa 223-8521, Japan)
資料名：
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017 号： EDAPS ページ： 1-3 発行年： 2017年
JST資料番号： W2441A 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
JDreamⅢ複写サービスとは
JDreamⅢ複写サービスは、学術文献の全文を複写（コピー）して取り寄せできる有料サービスです。インターネットに公開されていない文献や、図書館に収録されていない文献の全文を、オンラインで取り寄せることができます。J-GLOBALの整理番号にも対応しているので、申し込みも簡単にできます。全文の複写（コピー）は郵送またはFAXでお送りします
※ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です
※初めてご利用される方は、JDreamⅢ複写サービスのご案内をご覧ください。
※ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です
※初めてご利用される方は、JDreamⅢ複写サービスのご案内をご覧ください。