文献
J-GLOBAL ID:201802210750129804
整理番号:18A0238202
異なるバッファ層をもつCu(In,Ga)(S,Se)_2太陽電池のヘテロ界面再結合【Powered by NICT】
Heterointerface recombination of Cu(In,Ga)(S,Se)2-based solar cells with different buffer layers
著者 (4件):
Chantana Jakapan
(Department of Electrical and Electronic Engineering, Ritsumeikan University, 1-1-1 Nojihigashi, Kusatsu, Shiga, 525-8577, Japan)
,
Kato Takuya
(Atsugi Research Center, Solar Frontier K K, Atsugi, Kanagawa, 243-0206, Japan)
,
Sugimoto Hiroki
(Atsugi Research Center, Solar Frontier K K, Atsugi, Kanagawa, 243-0206, Japan)
,
Minemoto Takashi
(Department of Electrical and Electronic Engineering, Ritsumeikan University, 1-1-1 Nojihigashi, Kusatsu, Shiga, 525-8577, Japan)
資料名:
Progress in Photovoltaics
(Progress in Photovoltaics)
巻:
26
号:
2
ページ:
127-134
発行年:
2018年
JST資料番号:
W0463A
ISSN:
1062-7995
CODEN:
PPHOED
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)