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文献
J-GLOBAL ID：201802210750129804
整理番号：18A0238202
異なるバッファ層をもつCu(In,Ga)(S,Se)_2太陽電池のヘテロ界面再結合【Powered by NICT】
Heterointerface recombination of Cu(In,Ga)(S,Se)2-based solar cells with different buffer layers
Chantana Jakapan
(Department of Electrical and Electronic Engineering, Ritsumeikan University, 1-1-1 Nojihigashi, Kusatsu, Shiga, 525-8577, Japan)
,
Kato Takuya
(Atsugi Research Center, Solar Frontier K K, Atsugi, Kanagawa, 243-0206, Japan)
,
Sugimoto Hiroki
(Atsugi Research Center, Solar Frontier K K, Atsugi, Kanagawa, 243-0206, Japan)
,
Minemoto Takashi
(Department of Electrical and Electronic Engineering, Ritsumeikan University, 1-1-1 Nojihigashi, Kusatsu, Shiga, 525-8577, Japan)
資料名：
Progress in Photovoltaics
(Progress in Photovoltaics)
巻： 26 号： 2 ページ： 127-134 発行年： 2018年
JST資料番号： W0463A ISSN： 1062-7995 CODEN： PPHOED 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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