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文献
J-GLOBAL ID：201802210806066614
整理番号：18A0910886
トンネル電界効果トランジスタの短チャネル効果シミュレーション
Simulation study of short-channel effects of tunnel field-effect transistors
FUKUDA Koichi
(National Inst. of Advance Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN)
,
ASAI Hidehiro
(National Inst. of Advance Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN)
,
HATTORI Junichi
(National Inst. of Advance Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN)
,
MORI Takahiro
(National Inst. of Advance Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN)
,
MORITA Yukinori
(National Inst. of Advance Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN)
,
MIZUBAYASHI Wataru
(National Inst. of Advance Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN)
,
MASAHARA Meishoku
(National Inst. of Advance Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN)
,
MIGITA Shinji
(National Inst. of Advance Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN)
,
OTA Hiroyuki
(National Inst. of Advance Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN)
,
ENDO Kazuhiro
(National Inst. of Advance Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN)
,
MATSUKAWA Takashi
(National Inst. of Advance Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics
(Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 57 号： 4S ページ： 04FD04.1-04FD04.4 発行年： 2018年04月
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 CODEN： JJAPB6 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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