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文献
J-GLOBAL ID：201802210817959586
整理番号：18A1790640
ケルビンプローブ力顕微鏡を用いた印加バイアス電圧下でのシリコン高速リカバリダイオードにおけるn-層の検討
Investigation of an n- layer in a silicon fast recovery diode under applied bias voltages using Kelvin probe force microscopy
URUMA Takeshi
(Shizuoka Univ., Hamamatsu, JPN)
,
SATOH Nobuo
(Chiba Inst. of Technol., Chiba, JPN)
,
YAMAMOTO Hidekazu
(Chiba Inst. of Technol., Chiba, JPN)
,
IWATA Futoshi
(Shizuoka Univ., Hamamatsu, JPN)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics
(Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 57 号： 8S1 ページ： 08NB11.1-08NB11.5 発行年： 2018年08月
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 CODEN： JJAPB6 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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