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文献
J-GLOBAL ID：201802211088973833
整理番号：18A1212666
エピタキシャルGaN薄膜のイオンビーム支援蒸着【JST・京大機械翻訳】
Ion Beam Assisted Deposition of Thin Epitaxial GaN Films
Rauschenbach Bernd
(Leibniz Institute of Surface Modification, Permoserstr. 15, 04318 Leipzig, Germany)
,
Rauschenbach Bernd
(Felix-Bloch Institute for Solid State Physics, Universitaet Leipzig, Linnestrasse 5, 04103 Leipzig, Germany)
,
Lotnyk Andriy
(Leibniz Institute of Surface Modification, Permoserstr. 15, 04318 Leipzig, Germany)
,
Neumann Lena
(Leibniz Institute of Surface Modification, Permoserstr. 15, 04318 Leipzig, Germany)
,
Poppitz David
(Leibniz Institute of Surface Modification, Permoserstr. 15, 04318 Leipzig, Germany)
,
Gerlach Juergen W.
(Leibniz Institute of Surface Modification, Permoserstr. 15, 04318 Leipzig, Germany)
資料名：
Materials (Web)
(Materials (Web))
巻： 10 号： 7 ページ： 690 発行年： 2017年
JST資料番号： U7237A ISSN： 1996-1944 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： スイス (CHE) 言語： 英語 (EN)
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