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文献
J-GLOBAL ID:201802211539785772   整理番号:18A1144269

スパッタZnOヘテロ構造における2DEGの表面状態と界面電荷の役割【JST・京大機械翻訳】

Role of Surface States and Interface Charges in 2DEG in Sputtered ZnO Heterostructures
著者 (4件):
Singh Rohit
(Hybrid Nanodevice Research Group (HNRG) and Low Power Nanoelectronics Research Group, Discipline of Electrical Engineering, IIT Indore, Simrol, Indore, India)
Khan Md. Arif
(Hybrid Nanodevice Research Group (HNRG) and Low Power Nanoelectronics Research Group, Discipline of Electrical Engineering, IIT Indore, Simrol, Indore, India)
Mukherjee Shaibal
(Hybrid Nanodevice Research Group (HNRG), Electrical Engineering, IIT Indore, Simrol, Indore, India)
Kranti Abhinav
(Low Power Nanoelectronics Research Group, Discipline of Electrical Engineering, IIT Indore, Simrol, Indore, India)

資料名:
IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Transactions on Electron Devices)

巻: 65  号:ページ: 2850-2854  発行年: 2018年 
JST資料番号: C0222A  ISSN: 0018-9383  CODEN: IETDAI  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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