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文献
J-GLOBAL ID：201802211589900445
整理番号：18A1211100
高いI_ONとBVを持つノーマリオフ二重ゲートGa_2O_3プレーナMOSFETとFinFET【JST・京大機械翻訳】
Normally-OFF dual-gate Ga2O3 planar MOSFET and FinFET with high ION and BV
Wong H. Y.
(Synopsys, Inc., Mountain View, CA, USA)
,
Braga N.
(Synopsys, Inc., Mountain View, CA, USA)
,
Mickevicius R. V.
(Synopsys, Inc., Mountain View, CA, USA)
,
Ding F.
(Dept. of Electrical Engineering and Computer Sciences, University of California, Berkeley, Berkeley, CA, USA)
資料名：
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻： 2018 号： ISPSD ページ： 379-382 発行年： 2018年
JST資料番号： W2441A 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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