文献
J-GLOBAL ID:201802212068585263
整理番号:18A0706414
MOS_2/GaN p-nヘテロ接合に基づく高性能自己出力深紫外光検出器【JST・京大機械翻訳】
High-performance self-powered deep ultraviolet photodetector based on MoS2/GaN p-n heterojunction
著者 (9件):
Zhuo Ranran
(School of Physics and Engineering and Key Laboratory of Material Physics, Zhengzhou University, Zhengzhou, 450052, P. R. China. wudi1205@zzu.edu.cn lxj@zzu.edu.cn)
,
Wang Yuange
,
Wu Di
,
Lou Zhenhua
,
Shi Zhifeng
,
Xu Tingting
,
Xu Junmin
,
Tian Yongtao
,
Li Xinjian
資料名:
Journal of Materials Chemistry C. Materials for Optical, Magnetic and Electronic Devices
(Journal of Materials Chemistry C. Materials for Optical, Magnetic and Electronic Devices)
巻:
6
号:
2
ページ:
299-303
発行年:
2018年
JST資料番号:
W2383A
ISSN:
2050-7526
CODEN:
JMCCCX
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)